Gửi tin nhắn

SI4447DY-T1-GE3

nhà sản xuất:
Vishay Siliconix
Mô tả:
MOSFET P-CH 40V 3.3A 8SO
Nhóm:
Sản phẩm bán dẫn rời rạc
Thông số kỹ thuật
Category:
Discrete Semiconductor Products Transistors FETs, MOSFETs Single FETs, MOSFETs
FET Feature:
-
Vgs(th) (Max) @ Id:
2.2V @ 250µA
Operating Temperature:
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case:
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:
14 nC @ 4.5 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
72mOhm @ 4.5A, 15V
FET Type:
P-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On):
15V, 10V
Gói:
Dây băng và cuộn (TR) Dây cắt (CT) Digi-Reel®
Xả điện áp nguồn (Vdss):
40 V
Vgs (Max):
±16V
Tình trạng sản phẩm:
Hoạt động
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds:
805 pF @ 20 V
Loại lắp đặt:
Mặt đất
Series:
TrenchFET®
Supplier Device Package:
8-SOIC
Mfr:
Vishay Siliconix
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C:
3.3A (Ta)
Power Dissipation (Max):
1.1W (Ta)
Technology:
MOSFET (Metal Oxide)
Base Product Number:
SI4447
Lời giới thiệu
P-Channel 40 V 3.3A (Ta) 1.1W (Ta) Mặt đất gắn 8-SOIC
Gửi RFQ
Sở hữu:
MOQ: