Gửi tin nhắn

SIR826DP-T1-GE3

nhà sản xuất:
Vishay Siliconix
Mô tả:
MOSFET N-CH 80V 60A PPAK SO-8
Nhóm:
Sản phẩm bán dẫn rời rạc
Thông số kỹ thuật
Category:
Discrete Semiconductor Products Transistors FETs, MOSFETs Single FETs, MOSFETs
FET Feature:
-
Vgs(th) (Max) @ Id:
2.8V @ 250µA
Operating Temperature:
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case:
PowerPAK® SO-8
Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ Vss:
90 nC @ 10 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
4.8mOhm @ 20A, 10V
Loại FET:
kênh N
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On):
4.5V, 10V
Gói:
Dây băng và cuộn (TR) Dây cắt (CT) Digi-Reel®
Drain to Source Voltage (Vdss):
80 V
VGS (Tối đa):
±20V
Product Status:
Active
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds:
2900 pF @ 40 V
Mounting Type:
Surface Mount
Series:
TrenchFET®
Supplier Device Package:
PowerPAK® SO-8
Mfr:
Vishay Siliconix
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C:
60A (Tc)
Power Dissipation (Max):
6.25W (Ta), 104W (Tc)
Technology:
MOSFET (Metal Oxide)
Base Product Number:
SIR826
Lời giới thiệu
N-Channel 80 V 60A (Tc) 6.25W (Ta), 104W (Tc) Đèn bề mặt PowerPAK® SO-8
Gửi RFQ
Sở hữu:
MOQ: