Gửi tin nhắn

SIRA80DP-T1-RE3

nhà sản xuất:
Vishay Siliconix
Mô tả:
MOSFET N-CH 30V 100A PPAK SO-8
Nhóm:
Sản phẩm bán dẫn rời rạc
Thông số kỹ thuật
Category:
Discrete Semiconductor Products Transistors FETs, MOSFETs Single FETs, MOSFETs
FET Feature:
-
Vgs(th) (Max) @ Id:
2.2V @ 250µA
Operating Temperature:
-55°C ~ 150°C (TJ)
Bao bì / Vỏ:
PowerPAK® SO-8
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:
188 nC @ 10 V
Rds Bật (Tối đa) @ Id, Vss:
0,62mOhm @ 20A, 10V
FET Type:
N-Channel
Điện áp truyền động (Bật Rds tối đa, Bật Rds tối thiểu):
4,5V, 10V
Package:
Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Xả điện áp nguồn (Vdss):
30 V
Vgs (Max):
+20V, -16V
Product Status:
Active
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds:
9530 pF @ 15 V
Mounting Type:
Surface Mount
Series:
TrenchFET® Gen IV
Supplier Device Package:
PowerPAK® SO-8
Mfr:
Vishay Siliconix
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C:
100A (Tc)
Power Dissipation (Max):
104W (Tc)
Technology:
MOSFET (Metal Oxide)
Base Product Number:
SIRA80
Lời giới thiệu
N-Channel 30 V 100A (Tc) 104W (Tc) Đèn bề mặt PowerPAK® SO-8
Gửi RFQ
Sở hữu:
MOQ: