Gửi tin nhắn

SI2325DS-T1-E3

nhà sản xuất:
Vishay Siliconix
Mô tả:
MOSFET P-CH 150V 530MA SOT23-3
Nhóm:
Sản phẩm bán dẫn rời rạc
Thông số kỹ thuật
Category:
Discrete Semiconductor Products Transistors FETs, MOSFETs Single FETs, MOSFETs
FET Feature:
-
Vgs(th) (Max) @ Id:
4.5V @ 250µA
Operating Temperature:
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case:
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:
12 nC @ 10 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
1.2Ohm @ 500mA, 10V
FET Type:
P-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On):
6V, 10V
Package:
Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Drain to Source Voltage (Vdss):
150 V
Vgs (Max):
±20V
Product Status:
Active
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds:
510 pF @ 25 V
Mounting Type:
Surface Mount
Series:
TrenchFET®
Bao gồm thiết bị của nhà cung cấp:
SOT-23-3 (TO-236)
Mfr:
Vishay Siliconix
Hiện tại - Xả liên tục (Id) @ 25°C:
530mA (Ta)
Power Dissipation (Max):
750mW (Ta)
Công nghệ:
MOSFET (Ôxít kim loại)
Base Product Number:
SI2325
Lời giới thiệu
P-Channel 150 V 530mA (Ta) 750mW (Ta) Mặt đất gắn SOT-23-3 (TO-236)
Gửi RFQ
Sở hữu:
MOQ: