Gửi tin nhắn

SQM120P10_10M1LGE3

nhà sản xuất:
Vishay Siliconix
Mô tả:
MOSFET P-CH 100V 120A TO263
Nhóm:
Sản phẩm bán dẫn rời rạc
Thông số kỹ thuật
Category:
Discrete Semiconductor Products Transistors FETs, MOSFETs Single FETs, MOSFETs
FET Feature:
-
Vgs(th) (Max) @ Id:
2.5V @ 250µA
Operating Temperature:
-55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case:
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ Vss:
190 nC @ 10 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
10.1mOhm @ 30A, 10V
Loại FET:
Kênh P
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On):
4.5V, 10V
Gói:
Dây băng và cuộn (TR) Dây cắt (CT) Digi-Reel®
Drain to Source Voltage (Vdss):
100 V
VGS (Tối đa):
±20V
Product Status:
Active
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds:
9000 pF @ 25 V
Mounting Type:
Surface Mount
Series:
Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
Supplier Device Package:
TO-263 (D²Pak)
Mfr:
Vishay Siliconix
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C:
120A (Tc)
Power Dissipation (Max):
375W (Tc)
Technology:
MOSFET (Metal Oxide)
Base Product Number:
SQM120
Lời giới thiệu
P-Channel 100 V 120A (Tc) 375W (Tc) Mặt đất TO-263 (D2Pak)
Gửi RFQ
Sở hữu:
MOQ: