FMY-1106S
Thông số kỹ thuật
Category:
Discrete Semiconductor Products
Diodes
Rectifiers
Single Diodes
Product Status:
Obsolete
Current - Reverse Leakage @ Vr:
30 µA @ 600 V
Mounting Type:
Through Hole
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:
1.15 V @ 10 A
Package:
Tube
Series:
-
Capacitance @ Vr, F:
-
Supplier Device Package:
TO-220F-2L
Reverse Recovery Time (trr):
200 ns
Mfr:
Sanken Electric USA Inc.
Technology:
Standard
Nhiệt độ hoạt động - Ngã ba:
-40°C ~ 150°C
Package / Case:
TO-220-2 Full Pack
Điện áp - Đảo ngược DC (Vr) (Tối đa):
600 V
Current - Average Rectified (Io):
10A
Tốc độ:
Phục hồi nhanh =<500ns, > 200mA (Io)
Lời giới thiệu
Diode 600 V 10A thông qua lỗ TO-220F-2L
Related Products

SJPB-H9VL
DIODE SCHOTTKY 90V 2A SJP

SJPL-H2VL
DIODE GEN PURP 200V 2A SJP

SJPB-H6VR
DIODE SCHOTTKY 60V 2A SJP

FMD-G26
DIODE GEN PURP 600V 10A TO220F

SARS01V1
DIODE GEN PURP 800V 1.2A AXIAL

SJPX-F2VR
DIODE GEN PURP 200V 1.5A SJP

SARS05VL
DIODE GEN PURP 800V 1A SMD
Hình ảnh | Phần # | Mô tả | |
---|---|---|---|
![]() |
SJPB-H9VL |
DIODE SCHOTTKY 90V 2A SJP
|
|
![]() |
SJPL-H2VL |
DIODE GEN PURP 200V 2A SJP
|
|
![]() |
SJPB-H6VR |
DIODE SCHOTTKY 60V 2A SJP
|
|
![]() |
FMD-G26 |
DIODE GEN PURP 600V 10A TO220F
|
|
![]() |
SARS01V1 |
DIODE GEN PURP 800V 1.2A AXIAL
|
|
![]() |
SJPX-F2VR |
DIODE GEN PURP 200V 1.5A SJP
|
|
![]() |
SARS05VL |
DIODE GEN PURP 800V 1A SMD
|
Gửi RFQ
Sở hữu:
MOQ: