1N5619
nhà sản xuất:
Công nghệ vi mạch
Mô tả:
DIODE GEN PURP 600V 1A TRỤC
Nhóm:
Sản phẩm bán dẫn rời rạc
Thông số kỹ thuật
Nhóm:
Sản phẩm bán dẫn rời rạc Đi-ốt Bộ chỉnh lưu Đi-ốt đơn
Tình trạng sản phẩm:
Hoạt động
Hiện tại - Rò rỉ ngược @ Vr:
500 nA @ 600 V
Loại lắp đặt:
Qua lỗ
Điện áp - Chuyển tiếp (Vf) (Tối đa) @ Nếu:
1,6V @ 3A
Gói:
Nhập xách
Dòng:
-
Điện dung @ Vr, F:
25pF @ 12V, 1MHz
Bao gồm thiết bị của nhà cung cấp:
A, Trục
Thời gian khôi phục ngược (trr):
250 giây
Mfr:
Công nghệ vi mạch
Công nghệ:
Tiêu chuẩn
Nhiệt độ hoạt động - Ngã ba:
-65°C ~ 175°C
Bao bì / Vỏ:
A, Trục
Điện áp - Đảo ngược DC (Vr) (Tối đa):
600 V
Hiện tại - Chỉnh lưu trung bình (Io):
1A
Tốc độ:
Phục hồi nhanh =<500ns, > 200mA (Io)
Số sản phẩm cơ bản:
1N5619
Lời giới thiệu
Diode 600 V 1A qua lỗ A, trục
Gửi RFQ
Sở hữu:
MOQ: