2N7002WT1G
nhà sản xuất:
Đơn phương
Mô tả:
MOSFET TÍN HIỆU NHỎ MOSFET 6.8V LỘ C
Nhóm:
chất bán dẫn
Thông số kỹ thuật
phân cực bóng bán dẫn:
kênh N
Công nghệ:
sĩ
Id - Dòng xả liên tục:
310mA
phong cách gắn kết:
SMD/SMT
Nhiệt độ hoạt động tối thiểu:
- 55 độ C
Bao bì / Vỏ:
SC-70-3
Nhiệt độ hoạt động tối đa:
+ 150C
Chế độ kênh:
Sự nâng cao
Vds - Điện áp sự cố nguồn xả:
60 V
Bao bì:
cuộn
danh mục sản phẩm:
MOSFET
Số kênh:
1 kênh
VSS - Điện áp cổng nguồn:
20 V
Rds On - Điện trở nguồn thoát nước:
1.6 Ohm
Nhà sản xuất:
một nửa
Lời giới thiệu
2N7002WT1G, từ onsemi, là MOSFET. những gì chúng tôi cung cấp có giá cạnh tranh trên thị trường toàn cầu,được trong nguyên bản và các bộ phận mới.Nếu bạn muốn biết thêm về các sản phẩm hoặc áp dụng một giá thấp hơn, vui lòng liên hệ với chúng tôi thông qua cuộc trò chuyện trực tuyến hoặc gửi một báo giá cho chúng tôi!
Related Products
NTMFS4C022NT1G
MOSFET TRENCH 6 30V NCH
FQP13N50C
MOSFET 500V N-Ch Q-FET advance C-Series
NTMFS5C430NLT1G
MOSFET NFET SO8FL 40V 200A
NTF2955T1G
MOSFET -60V 2.6A P-Channel
FDS3992
MOSFET 2N-CH 100V 4.5A 8-SO
FCP22N60N
MOSFET N-CH 600V 22A TO-220
ATP106-TL-H
MOSFET SWITCHING DEVICE
BVSS123LT1G
MOSFET NFET 100V 170MA 6OH
FDS6576
MOSFET P-CH 20V 11A 8SOIC
FQP50N06
MOSFET N-CH 60V 50A TO-220
| Hình ảnh | Phần # | Mô tả | |
|---|---|---|---|
|
|
NTMFS4C022NT1G |
MOSFET TRENCH 6 30V NCH
|
|
|
|
FQP13N50C |
MOSFET 500V N-Ch Q-FET advance C-Series
|
|
|
|
NTMFS5C430NLT1G |
MOSFET NFET SO8FL 40V 200A
|
|
|
|
NTF2955T1G |
MOSFET -60V 2.6A P-Channel
|
|
|
|
FDS3992 |
MOSFET 2N-CH 100V 4.5A 8-SO
|
|
|
|
FCP22N60N |
MOSFET N-CH 600V 22A TO-220
|
|
|
|
ATP106-TL-H |
MOSFET SWITCHING DEVICE
|
|
|
|
BVSS123LT1G |
MOSFET NFET 100V 170MA 6OH
|
|
|
|
FDS6576 |
MOSFET P-CH 20V 11A 8SOIC
|
|
|
|
FQP50N06 |
MOSFET N-CH 60V 50A TO-220
|
Gửi RFQ
Sở hữu:
MOQ: