IXTT110N10L2
Thông số kỹ thuật
phân cực bóng bán dẫn:
kênh N
Công nghệ:
sĩ
Id - Dòng xả liên tục:
110 MỘT
phong cách gắn kết:
SMD/SMT
Nhiệt độ hoạt động tối thiểu:
- 55 độ C
Bao bì / Vỏ:
TO-268-3
Nhiệt độ hoạt động tối đa:
+ 150C
Chế độ kênh:
Sự nâng cao
Vds - Điện áp sự cố nguồn xả:
100 V
Bao bì:
Bơm
Vgs th - Điện áp ngưỡng cổng nguồn:
2,5V
danh mục sản phẩm:
MOSFET
Rds On - Điện trở nguồn thoát nước:
18 mOhms
Số kênh:
1 kênh
Qg - Phí cổng:
260 nC
Nhà sản xuất:
IXYS
Lời giới thiệu
IXTT110N10L2, từ IXYS, là MOSFET. những gì chúng tôi cung cấp có giá cạnh tranh trên thị trường toàn cầu,được trong nguyên bản và các bộ phận mới.Nếu bạn muốn biết thêm về các sản phẩm hoặc áp dụng một giá thấp hơn, vui lòng liên hệ với chúng tôi thông qua cuộc trò chuyện trực tuyến hoặc gửi một báo giá cho chúng tôi!
Related Products

IXFR64N60Q3
MOSFET Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 600V/42A

IXTT20N50D
MOSFET 20 Amps 500V 0.33 Rds

IXFK200N10P
MOSFET 200 Amps 100V 0.0075 Rds

IXTQ50N25T
MOSFET 50Amps 250V

IXFP34N65X2
MOSFET 650V/34A Ultra Junction X2-Class

IXFH36N60P
MOSFET 600V 36A

IXFK100N65X2
MOSFET MOSFET 650V/100A Ultra Junction X2

IXFK44N80P
MOSFET 44 Amps 800V

IXFN520N075T2
MOSFET GigaMOS Trench T2 HiperFET PWR MOSFET

IXFH23N80Q
MOSFET 23 Amps 800V 0.40 Rds
Hình ảnh | Phần # | Mô tả | |
---|---|---|---|
![]() |
IXFR64N60Q3 |
MOSFET Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 600V/42A
|
|
![]() |
IXTT20N50D |
MOSFET 20 Amps 500V 0.33 Rds
|
|
![]() |
IXFK200N10P |
MOSFET 200 Amps 100V 0.0075 Rds
|
|
![]() |
IXTQ50N25T |
MOSFET 50Amps 250V
|
|
![]() |
IXFP34N65X2 |
MOSFET 650V/34A Ultra Junction X2-Class
|
|
![]() |
IXFH36N60P |
MOSFET 600V 36A
|
|
![]() |
IXFK100N65X2 |
MOSFET MOSFET 650V/100A Ultra Junction X2
|
|
![]() |
IXFK44N80P |
MOSFET 44 Amps 800V
|
|
![]() |
IXFN520N075T2 |
MOSFET GigaMOS Trench T2 HiperFET PWR MOSFET
|
|
![]() |
IXFH23N80Q |
MOSFET 23 Amps 800V 0.40 Rds
|
Gửi RFQ
Sở hữu:
MOQ: