BSC0906NS
Thông số kỹ thuật
phân cực bóng bán dẫn:
kênh N
Công nghệ:
sĩ
danh mục sản phẩm:
MOSFET
phong cách gắn kết:
SMD/SMT
Tên thương mại:
OptiMOS
Nhiệt độ hoạt động tối thiểu:
- 55 độ C
Bao bì / Vỏ:
TDSON-8
Nhiệt độ hoạt động tối đa:
+ 150C
Vds - Điện áp sự cố nguồn xả:
30 V
Bao bì:
cuộn
Id - Dòng xả liên tục:
63 Một
Rds On - Điện trở nguồn thoát nước:
4,5 mOhm
Số kênh:
1 kênh
VSS - Điện áp cổng nguồn:
20 V
Qg - Phí cổng:
13 nC
Nhà sản xuất:
Công nghệ Infineon
Lời giới thiệu
BSC0906NS,từ Infineon Technologies,là MOSFET.Những gì chúng tôi cung cấp có giá cạnh tranh trên thị trường toàn cầu,có các bộ phận nguyên bản và mới.Nếu bạn muốn biết thêm về các sản phẩm hoặc áp dụng một giá thấp hơn, vui lòng liên hệ với chúng tôi thông qua cuộc trò chuyện trực tuyến hoặc gửi một báo giá cho chúng tôi!
Sản phẩm liên quan

IPA60R380E6
MOSFET N-Ch 650V 10.6A TO220FP-3 CoolMOS E6

BSC039N06NS
MOSFET N-Ch 60V 100A TDSON-8

IPD75N04S4-06
MOSFET N-Ch 40V 75A DPAK-2 OptiMOS-T2

BSC011N03LSI
MOSFET N-Ch 30V 100A TSDSON-8 OptiMOS

IPW65R150CFD
MOSFET N-Ch 700V 22.4A TO247-3

IPP60R099C6
MOSFET N-Ch 650V 38A TO220-3 CoolMOS C6

IPW65R110CFD
MOSFET N-Ch 700V 31.2A TO247-3 CoolMOS CFD2

IPL65R230C7
MOSFET N-Ch 650V 10A ThinPAK-4 CoolMOS C7

BSZ097N10NS5
MOSFET N-Ch 100V 40A TSDSON-8

BSC010N04LSI
MOSFET N-Ch 40V 100A TDSON-8 FL OptiMOS
Hình ảnh | Phần # | Mô tả | |
---|---|---|---|
![]() |
IPA60R380E6 |
MOSFET N-Ch 650V 10.6A TO220FP-3 CoolMOS E6
|
|
![]() |
BSC039N06NS |
MOSFET N-Ch 60V 100A TDSON-8
|
|
![]() |
IPD75N04S4-06 |
MOSFET N-Ch 40V 75A DPAK-2 OptiMOS-T2
|
|
![]() |
BSC011N03LSI |
MOSFET N-Ch 30V 100A TSDSON-8 OptiMOS
|
|
![]() |
IPW65R150CFD |
MOSFET N-Ch 700V 22.4A TO247-3
|
|
![]() |
IPP60R099C6 |
MOSFET N-Ch 650V 38A TO220-3 CoolMOS C6
|
|
![]() |
IPW65R110CFD |
MOSFET N-Ch 700V 31.2A TO247-3 CoolMOS CFD2
|
|
![]() |
IPL65R230C7 |
MOSFET N-Ch 650V 10A ThinPAK-4 CoolMOS C7
|
|
![]() |
BSZ097N10NS5 |
MOSFET N-Ch 100V 40A TSDSON-8
|
|
![]() |
BSC010N04LSI |
MOSFET N-Ch 40V 100A TDSON-8 FL OptiMOS
|
Gửi RFQ
Sở hữu:
MOQ: