SIS413DN-T1-GE3
nhà sản xuất:
Vishay bán dẫn
Mô tả:
MOSFET -30V 9.4mOhm@10V -18A P-Ch G-III
Nhóm:
chất bán dẫn
Thông số kỹ thuật
Công nghệ:
sĩ
danh mục sản phẩm:
MOSFET
Tên thương mại:
RãnhFET
Bao bì / Vỏ:
PowerPAK-1212-8
Bao bì:
cuộn
Nhà sản xuất:
Chất bán dẫn Vishay
Lời giới thiệu
SIS413DN-T1-GE3, từ Vishay Semiconductors, là MOSFET. những gì chúng tôi cung cấp có giá cạnh tranh trên thị trường toàn cầu,được trong nguyên bản và các bộ phận mới.Nếu bạn muốn biết thêm về các sản phẩm hoặc áp dụng một giá thấp hơn, vui lòng liên hệ với chúng tôi thông qua cuộc trò chuyện trực tuyến hoặc gửi một báo giá cho chúng tôi!
Related Products
SI2312BDS-T1-E3
MOSFET N-Channel 20V 3.9A
Si1022R-T1-GE3
MOSFET 60V 330mA 250mW 1.25ohm @ 10V
SUM110P08-11L-E3
MOSFET 80V 110A 375W
SIHG73N60E-GE3
MOSFET 600V 39mOhm@10V 73A N-Ch E-SRS
SI4559ADY-T1-GE3
MOSFET N/P-Ch MOSFET 60V 58/120mohm @ 10V
IRFPS37N50APBF
MOSFET N-Chan 500V 36 Amp
SI4946BEY-T1-E3
MOSFET 60V 6.5A 3.7W
SIR462DP-T1-GE3
MOSFET 30V 30A 41.7W 7.9mohm @ 10V
SI4435DDY-T1-GE3
MOSFET 30V 11.4A 5.0W 24mohm @ 10V
SI2333DS-T1-E3
MOSFET 12V 5.3A 1.25W 32 mohms @ 4.5V
| Hình ảnh | Phần # | Mô tả | |
|---|---|---|---|
|
|
SI2312BDS-T1-E3 |
MOSFET N-Channel 20V 3.9A
|
|
|
|
Si1022R-T1-GE3 |
MOSFET 60V 330mA 250mW 1.25ohm @ 10V
|
|
|
|
SUM110P08-11L-E3 |
MOSFET 80V 110A 375W
|
|
|
|
SIHG73N60E-GE3 |
MOSFET 600V 39mOhm@10V 73A N-Ch E-SRS
|
|
|
|
SI4559ADY-T1-GE3 |
MOSFET N/P-Ch MOSFET 60V 58/120mohm @ 10V
|
|
|
|
IRFPS37N50APBF |
MOSFET N-Chan 500V 36 Amp
|
|
|
|
SI4946BEY-T1-E3 |
MOSFET 60V 6.5A 3.7W
|
|
|
|
SIR462DP-T1-GE3 |
MOSFET 30V 30A 41.7W 7.9mohm @ 10V
|
|
|
|
SI4435DDY-T1-GE3 |
MOSFET 30V 11.4A 5.0W 24mohm @ 10V
|
|
|
|
SI2333DS-T1-E3 |
MOSFET 12V 5.3A 1.25W 32 mohms @ 4.5V
|
Gửi RFQ
Sở hữu:
MOQ: