TGF2953
Thông số kỹ thuật
phân cực bóng bán dẫn:
kênh N
Công nghệ:
GaN SiC
danh mục sản phẩm:
Transistor RF JFET
phong cách gắn kết:
SMD/SMT
Lợi ích:
18,2dB
Loại bóng bán dẫn:
HEMT
Năng lượng đầu ra:
41,6 dBm
Bao bì / Vỏ:
Chết
Nhiệt độ hoạt động tối đa:
+ 150C
Vds - Điện áp sự cố nguồn xả:
32 V
Bao bì:
bánh quế
Điện áp cổng xả tối đa:
100 V
Id - Dòng xả liên tục:
820 mA
Pd - Tản Điện:
17 W
Nhà sản xuất:
Qorvo
Lời giới thiệu
TGF2953, từ Qorvo, là RF JFET Transistors. những gì chúng tôi cung cấp có giá cạnh tranh trên thị trường toàn cầu,được trong nguyên bản và các bộ phận mới.Nếu bạn muốn biết thêm về các sản phẩm hoặc áp dụng một giá thấp hơn, vui lòng liên hệ với chúng tôi thông qua cuộc trò chuyện trực tuyến hoặc gửi một báo giá cho chúng tôi!
Sản phẩm liên quan

T2G6000528-Q3
RF JFET Transistors DC-6GHz 28V P3dB 10W @3.3GHz

TGF2978-SM
RF JFET Transistors 8-12GHz 20W GaN PAE 50% Gain 11dB

T2G6001528-SG
RF JFET Transistors DC-6.0GHz 15 Watt 28V GaN

QPD3601
RF JFET Transistors 3.4-3.6GHz 50V 180 Watt GaN

QPD1015L
RF JFET Transistors DC-3.7GHz 65W 50V SSG 20dB GaN

TGF3015-SM
RF JFET Transistors .03-3GHz Gain 17dB P3dB 9.3W@2.4GHz GaN

QPD1000
RF JFET Transistors 50-1000MHz 15W 28V SSG 19dB GaN
Hình ảnh | Phần # | Mô tả | |
---|---|---|---|
![]() |
T2G6000528-Q3 |
RF JFET Transistors DC-6GHz 28V P3dB 10W @3.3GHz
|
|
![]() |
TGF2978-SM |
RF JFET Transistors 8-12GHz 20W GaN PAE 50% Gain 11dB
|
|
![]() |
T2G6001528-SG |
RF JFET Transistors DC-6.0GHz 15 Watt 28V GaN
|
|
![]() |
QPD3601 |
RF JFET Transistors 3.4-3.6GHz 50V 180 Watt GaN
|
|
![]() |
QPD1015L |
RF JFET Transistors DC-3.7GHz 65W 50V SSG 20dB GaN
|
|
![]() |
TGF3015-SM |
RF JFET Transistors .03-3GHz Gain 17dB P3dB 9.3W@2.4GHz GaN
|
|
![]() |
QPD1000 |
RF JFET Transistors 50-1000MHz 15W 28V SSG 19dB GaN
|
Gửi RFQ
Sở hữu:
MOQ: