Gửi tin nhắn

TGF2953

nhà sản xuất:
Qorvo
Mô tả:
Transitor RF JFET DC-12GHz 12W 32V GaN P3dB @ 3GHz 41,2dBm
Nhóm:
chất bán dẫn
Thông số kỹ thuật
phân cực bóng bán dẫn:
kênh N
Công nghệ:
GaN SiC
danh mục sản phẩm:
Transistor RF JFET
phong cách gắn kết:
SMD/SMT
Lợi ích:
18,2dB
Loại bóng bán dẫn:
HEMT
Năng lượng đầu ra:
41,6 dBm
Bao bì / Vỏ:
Chết
Nhiệt độ hoạt động tối đa:
+ 150C
Vds - Điện áp sự cố nguồn xả:
32 V
Bao bì:
bánh quế
Điện áp cổng xả tối đa:
100 V
Id - Dòng xả liên tục:
820 mA
Pd - Tản Điện:
17 W
Nhà sản xuất:
Qorvo
Lời giới thiệu
TGF2953, từ Qorvo, là RF JFET Transistors. những gì chúng tôi cung cấp có giá cạnh tranh trên thị trường toàn cầu,được trong nguyên bản và các bộ phận mới.Nếu bạn muốn biết thêm về các sản phẩm hoặc áp dụng một giá thấp hơn, vui lòng liên hệ với chúng tôi thông qua cuộc trò chuyện trực tuyến hoặc gửi một báo giá cho chúng tôi!
Sản phẩm liên quan
Hình ảnh Phần # Mô tả
T2G6000528-Q3

T2G6000528-Q3

RF JFET Transistors DC-6GHz 28V P3dB 10W @3.3GHz
TGF2978-SM

TGF2978-SM

RF JFET Transistors 8-12GHz 20W GaN PAE 50% Gain 11dB
T2G6001528-SG

T2G6001528-SG

RF JFET Transistors DC-6.0GHz 15 Watt 28V GaN
QPD3601

QPD3601

RF JFET Transistors 3.4-3.6GHz 50V 180 Watt GaN
QPD1015L

QPD1015L

RF JFET Transistors DC-3.7GHz 65W 50V SSG 20dB GaN
TGF3015-SM

TGF3015-SM

RF JFET Transistors .03-3GHz Gain 17dB P3dB 9.3W@2.4GHz GaN
QPD1000

QPD1000

RF JFET Transistors 50-1000MHz 15W 28V SSG 19dB GaN
Gửi RFQ
Sở hữu:
MOQ: