Nhà > các sản phẩm > chất bán dẫn > K4H511638J-LCCC

K4H511638J-LCCC

nhà sản xuất:
Máy bán dẫn Samsung
Mô tả:
Thông số kỹ thuật DDR SDRAM C-die 512Mb
Nhóm:
chất bán dẫn
Thông số kỹ thuật
Gói:
TSSOP
danh mục sản phẩm:
IC bộ nhớ
Nhà sản xuất:
chất bán dẫn Samsung
Lời giới thiệu
K4H511638J-LCCC,từ Samsung bán dẫn,là bộ nhớ IC. những gì chúng tôi cung cấp có giá cạnh tranh trên thị trường toàn cầu,được trong nguyên bản và các bộ phận mới.Nếu bạn muốn biết thêm về các sản phẩm hoặc áp dụng một giá thấp hơn, vui lòng liên hệ với chúng tôi thông qua cuộc trò chuyện trực tuyến hoặc gửi một báo giá cho chúng tôi!
Sản phẩm liên quan
Hình ảnh Phần # Mô tả
K9F4G08U0B-PCB0

K9F4G08U0B-PCB0

512M x 8 Bits / 1G x 8 Bits NAND Flash Memory
K4S641632K-UC60

K4S641632K-UC60

64Mb K-die SDRAM
K9F2G08U0D-SCB0

K9F2G08U0D-SCB0

256M x 8 Bit NAND Flash Memory
K9K8G08U0A-PIB0

K9K8G08U0A-PIB0

1G x 8 Bit / 2G x 8 Bit NAND Flash Memory
KLUEG8U1EM-B0B1

KLUEG8U1EM-B0B1

Memory IC
K4B2G1646F-BCK0

K4B2G1646F-BCK0

96FBGA with Lead-Free & Halogen-Free
K9F1G08U0E-SCB0

K9F1G08U0E-SCB0

1Gb E-die NAND Flash
K4W1G1646E-HC12

K4W1G1646E-HC12

Graphic Memory
K4T1G084QF-BCF7

K4T1G084QF-BCF7

1Gb F-die DDR2 SDRAM
K4B4G1646D-BCMA

K4B4G1646D-BCMA

4Gb B-die DDR3 SDRAM Olny x16
K9F5608U0D-PCB0

K9F5608U0D-PCB0

32M x 8 Bit NAND Flash Memory
K4A8G085WB-BCPB

K4A8G085WB-BCPB

8Gb B-die DDR4 SDRAM
K4A8G165WC-BCTD

K4A8G165WC-BCTD

8Gb B-die DDR4 SDRAM x16
K4B4G0846Q-HYK0

K4B4G0846Q-HYK0

DDP 4Gb B-die DDR3 SDRAM Specification
K4T1G164QE-HCE7

K4T1G164QE-HCE7

1Gb E-die DDR2 SDRAM 60FBGA/84FBGA with Lead-Free & Halogen-Free (RoHS compliant)
K9GAG08U0E-SCB0

K9GAG08U0E-SCB0

16Gb E-die NAND Flash
K4G20325FD-FC03

K4G20325FD-FC03

Graphic Memory
K4G41325FE-HC28

K4G41325FE-HC28

Graphic Memory
K4E6E304EE-EGCF

K4E6E304EE-EGCF

Memory IC
K4B1G1646G-BCH9

K4B1G1646G-BCH9

1Gb D-die DDR3 SDRAM Specification
K4G80325FB-HC25

K4G80325FB-HC25

Graphic Memory
Gửi RFQ
Sở hữu:
MOQ: