STGWA60H65DFB
nhà sản xuất:
STMicroelectronics
Mô tả:
IGBT Transistors IGBT & Power Bipolar
Nhóm:
chất bán dẫn
Thông số kỹ thuật
Dòng rò rỉ Gate-Emitter:
250 nA
danh mục sản phẩm:
Bóng bán dẫn IGBT
phong cách gắn kết:
Qua lỗ
Dòng Collector liên tục ở 25 C:
80 A
Pd - Tản Điện:
375 W
Điện áp Collector-Emitter VCEO Max:
650 V
Bao bì / Vỏ:
TO-247-3
Nhiệt độ hoạt động tối đa:
+ 175 độ C
Điện áp cực đại cổng Emitter:
+/- 20V
Cấu hình:
Đơn vị
Điện áp bão hòa của bộ thu-phát:
2 V
Nhà sản xuất:
STMicroelectronics
Lời giới thiệu
STGWA60H65DFB, từ STMicroelectronics, là IGBT Transistors. những gì chúng tôi cung cấp có giá cạnh tranh trên thị trường toàn cầu, trong đó có các bộ phận gốc và mới.Nếu bạn muốn biết thêm về các sản phẩm hoặc áp dụng một giá thấp hơn, vui lòng liên hệ với chúng tôi thông qua cuộc trò chuyện trực tuyến hoặc gửi một báo giá cho chúng tôi!
Related Products
| Hình ảnh | Phần # | Mô tả | |
|---|---|---|---|
|
|
STGW45HF60WD |
IGBT Transistors 45A 600V Ultra Fast IGBT
|
|
|
|
STGW40H120F2 |
|
Gửi RFQ
Sở hữu:
MOQ: