FF150R12KS4
nhà sản xuất:
Công nghệ Infineon
Mô tả:
Mô-đun IGBT 1200V 150A DUAL
Nhóm:
chất bán dẫn
Thông số kỹ thuật
Dòng rò rỉ Gate-Emitter:
400 nA
danh mục sản phẩm:
Mô-đun IGBT
Dòng Collector liên tục ở 25 C:
225 A
Pd - Tản Điện:
1,25KW
Điện áp Collector-Emitter VCEO Max:
1200 V
Bao bì / Vỏ:
62mm
Nhiệt độ hoạt động tối đa:
+ 125C
Cấu hình:
Hai
Điện áp bão hòa của bộ thu-phát:
3.2 V
Sản phẩm:
Mô-đun silicon IGBT
Nhà sản xuất:
Công nghệ Infineon
Lời giới thiệu
FF150R12KS4, từ Infineon Technologies, là các mô-đun IGBT. Những gì chúng tôi cung cấp có giá cạnh tranh trên thị trường toàn cầu,có các bộ phận gốc và mới.Nếu bạn muốn biết thêm về các sản phẩm hoặc áp dụng một giá thấp hơn, vui lòng liên hệ với chúng tôi thông qua cuộc trò chuyện trực tuyến hoặc gửi một báo giá cho chúng tôi!
Related Products
Gửi RFQ
Sở hữu:
MOQ: