F3L300R07PE4
nhà sản xuất:
Công nghệ Infineon
Nhóm:
chất bán dẫn
Thông số kỹ thuật
Dòng rò rỉ Gate-Emitter:
400 nA
danh mục sản phẩm:
Mô-đun IGBT
Dòng Collector liên tục ở 25 C:
300 A
Điện áp Collector-Emitter VCEO Max:
650 V
Pd - Tản Điện:
940 W
Nhiệt độ hoạt động tối đa:
+ 150C
Điện áp bão hòa của bộ thu-phát:
1,95 V
Sản phẩm:
Mô-đun silicon IGBT
Nhà sản xuất:
Công nghệ Infineon
Lời giới thiệu
F3L300R07PE4, từ công nghệ Infineon, là IGBT module. những gì chúng tôi cung cấp có giá cạnh tranh trong thị trường toàn cầu, mà là trong nguyên bản và các bộ phận mới.Nếu bạn muốn biết thêm về các sản phẩm hoặc áp dụng một giá thấp hơn, vui lòng liên hệ với chúng tôi thông qua cuộc trò chuyện trực tuyến hoặc gửi một báo giá cho chúng tôi!
Related Products
Gửi RFQ
Sở hữu:
MOQ: