2DB1182Q-13
nhà sản xuất:
Diode kết hợp
Nhóm:
chất bán dẫn
Thông số kỹ thuật
phân cực bóng bán dẫn:
PNP
danh mục sản phẩm:
Bóng Bán Dẫn Lưỡng Cực - BJT
phong cách gắn kết:
SMD/SMT
Bộ thu DC tối đa hiện tại:
- 3 A
Điện áp Collector-Emitter VCEO Max:
- 32V
Bao bì / Vỏ:
TO-252-3
Nhiệt độ hoạt động tối đa:
+ 150C
Tăng sản phẩm băng thông fT:
110 MHz
Cấu hình:
Đơn vị
Bộ thu- Điện áp cơ sở VCBO:
- 40V
Dòng:
2DB11
Bộ phát- Điện áp cơ sở VEBO:
- 5 V
Điện áp bão hòa của bộ thu-phát:
- 0,8V
Nhà sản xuất:
Diode kết hợp
Lời giới thiệu
2DB1182Q-13, từ Diodes Incorporated, là Bipolar Transistors - BJT. những gì chúng tôi cung cấp có giá cạnh tranh trên thị trường toàn cầu, trong đó có các bộ phận gốc và mới.Nếu bạn muốn biết thêm về các sản phẩm hoặc áp dụng một giá thấp hơn, vui lòng liên hệ với chúng tôi thông qua cuộc trò chuyện trực tuyến hoặc gửi một báo giá cho chúng tôi!
Sản phẩm liên quan
Gửi RFQ
Sở hữu:
MOQ: