IKW25N120H3
nhà sản xuất:
Công nghệ Infineon
Nhóm:
chất bán dẫn
Thông số kỹ thuật
Dòng rò rỉ Gate-Emitter:
600 nA
danh mục sản phẩm:
Bóng bán dẫn IGBT
phong cách gắn kết:
Qua lỗ
Dòng Collector liên tục ở 25 C:
50 A
Pd - Tản Điện:
326 W
Điện áp Collector-Emitter VCEO Max:
1200 V
Bao bì / Vỏ:
TO-247-3
Nhiệt độ hoạt động tối đa:
+ 175 độ C
Điện áp cực đại cổng Emitter:
20 V
Bao bì:
Bơm
Cấu hình:
Đơn vị
Điện áp bão hòa của bộ thu-phát:
2,7 V
Nhà sản xuất:
Công nghệ Infineon
Lời giới thiệu
IKW25N120H3, từ công nghệ Infineon, là IGBT Transistors. những gì chúng tôi cung cấp có giá cạnh tranh trên thị trường toàn cầu, mà là trong nguyên bản và các bộ phận mới.Nếu bạn muốn biết thêm về các sản phẩm hoặc áp dụng một giá thấp hơn, vui lòng liên hệ với chúng tôi thông qua cuộc trò chuyện trực tuyến hoặc gửi một báo giá cho chúng tôi!
Sản phẩm liên quan
IKW20N60T
IGBT Transistors LOW LOSS DuoPack 600V 20A
IKA15N60T
IGBT Transistors LOW LOSS DuoPack 600V 15A
IHW30N160R2
IGBT Transistors RC-IGBT MONO DIODE 1600V 30A
AUIRG4PH50S
| Hình ảnh | Phần # | Mô tả | |
|---|---|---|---|
|
|
IKW20N60T |
IGBT Transistors LOW LOSS DuoPack 600V 20A
|
|
|
|
IKA15N60T |
IGBT Transistors LOW LOSS DuoPack 600V 15A
|
|
|
|
IHW30N160R2 |
IGBT Transistors RC-IGBT MONO DIODE 1600V 30A
|
|
|
|
AUIRG4PH50S |
|
Gửi RFQ
Sở hữu:
MOQ: