MMBT5550LT1G
nhà sản xuất:
Đơn phương
Nhóm:
chất bán dẫn
Thông số kỹ thuật
phân cực bóng bán dẫn:
NPN
danh mục sản phẩm:
Bóng Bán Dẫn Lưỡng Cực - BJT
phong cách gắn kết:
SMD/SMT
Bộ thu DC tối đa hiện tại:
600 mã
Điện áp Collector-Emitter VCEO Max:
140 V
Bao bì / Vỏ:
SOT-23-3
Nhiệt độ hoạt động tối đa:
+ 150C
Cấu hình:
Đơn vị
Bộ thu- Điện áp cơ sở VCBO:
180 V
Dòng:
MMBT5550L
Bộ phát- Điện áp cơ sở VEBO:
6 V
Điện áp bão hòa của bộ thu-phát:
0,15 V
Nhà sản xuất:
một nửa
Lời giới thiệu
MMBT5550LT1G, từ onsemi, là Bipolar Transistors - BJT. những gì chúng tôi cung cấp có giá cạnh tranh trên thị trường toàn cầu,được trong nguyên bản và các bộ phận mới.Nếu bạn muốn biết thêm về các sản phẩm hoặc áp dụng một giá thấp hơn, vui lòng liên hệ với chúng tôi thông qua cuộc trò chuyện trực tuyến hoặc gửi một báo giá cho chúng tôi!
Sản phẩm liên quan
Gửi RFQ
Sở hữu:
MOQ: