PUMD3,115
nhà sản xuất:
Nexperia USA Inc.
Nhóm:
Sản phẩm bán dẫn rời rạc
Thông số kỹ thuật
Nhóm:
Sản phẩm bán dẫn rời rạc Bóng bán dẫn Mảng bóng bán dẫn lưỡng cực lưỡng cực (BJT), tiền phân cực
Hiện tại - Bộ thu (Ic) (Tối đa):
100mA
Tình trạng sản phẩm:
Hoạt động
Loại bóng bán dẫn:
1 NPN, 1 PNP - Phân cực trước (Kép)
Tần suất - Chuyển tiếp:
-
Loại lắp đặt:
Mặt đất
Gói:
Dây băng và cuộn (TR)
Dây cắt (CT)
Digi-Reel®
Dòng:
-
Độ bão hòa Vce (Tối đa) @ Ib, Ic:
150mV @ 500µA, 10mA
Điện áp - Sự cố bộ phát Collector (Tối đa):
50V
Bao gồm thiết bị của nhà cung cấp:
6-TSSOP
Điện trở - Đế (R1):
10kOhms
Mfr:
Nexeria Hoa Kỳ Inc.
Điện trở - Cơ sở phát (R2):
10kOhms
Hiện tại - Collector Cutoff (Tối đa):
1µA
Sức mạnh tối đa:
300MW
Bao bì / Vỏ:
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mức tăng dòng điện một chiều (hFE) (Tối thiểu) @ Ic, Vce:
30 @ 5mA, 5V
Số sản phẩm cơ bản:
PUMD3
Lời giới thiệu
Bipolar Transistor (BJT) có khuynh hướng trước 1 NPN, 1 PNP - Có khuynh hướng trước (cặp) 50V 100mA 300mW Mặt đất 6-TSSOP
Gửi RFQ
Sở hữu:
MOQ: